在实践中使用哪些二极管修改器来模拟带有 SPICE (Berkeley v.3f5) 的 LED? 这些可供我使用:
#       Name    Parameter                    Units      Default Example  Area
1       IS      Saturation current             A         1e-14   1e-14    *
2       RS      Ohmic resistance               Ω         0       10       *
3       N       Emission coefficient           -         1       1.0
4       TT      Transit-time                   s         0       0.1ns
5       CJO     Zero-bias junction capacitance F         0       2pF      *
6       VJ      Junction potential             V         1       0.6
7       M       Grading coefficient            -         0.5     0.5
8       EG      Activation energy              eV        1.11    1.11 Si
                                                                 0.69 Sbd
                                                                 0.67 Ge
9       XTI     Saturation-current temperature exponent  3.0     3.0 jn
                                                                 2.0 Sbd
10      KF      Flicker noise coefficient      -         0
11    AF      Flicker noise exponent         -         1
12    FC      Coeff. for for.-bias dep. cap. formula   0.5
13    BV      Reverse breakdown voltage      V         ∞       40.0
14    IBV     Current at breakdown voltage   A         1.0e-3
15    TNOM    Parameter measurement temp.    °C        27      50
3.4.2 二极管模型 (D) 二极管
的直流特性由参数 IS 和 N 确定。其中包括一个欧姆电阻 RS。电荷存储效应由传输时间 TT 和由参数 CJO、VJ 和 M 确定的非线性耗尽层电容建模。饱和电流的温度依赖性由参数 EG、能量和 XTI 定义,饱和电流温度指数。测量这些参数的标称温度为 TNOM,默认为 .OPTIONS 控制线上指定的电路范围值。反向击穿由反向二极管电流的指数增加建模,并由参数 BV 和 IBV(均为正数)确定。
我不太关心高频特性——只是希望能够在其工作规格内匹配它的 IV 曲线(-10uA/-5V 泄漏到 +100mA/+2.2 'ish V 正向):



