您如何对 12V 电源进行去耦？

一种可能的故障模式是关闭电机电流（即以 PWM 速率）产生的感应尖峰通过反激二极管倾倒到 12V 电源中。是的，这应该会发生，但是...

如果 12V 电源没有去耦，并且来自 PSU 而不是可充电电池，或者通过长（感应）电缆供电，则它实际上不是 12V 电源，而是瞬间驱动到该感应尖峰电压。这可能远高于 MOSFET 的额定值...

使用快速示波器监控 12V 电源。如果它显示出过电压尖峰的迹象，请增加其去耦直到它没有。（这应该包括用于低 HF 阻抗的 0.1uF 陶瓷电容器以及电解储存电容器。可能还有一个 16V 或 25V 齐纳二极管以防万一……）。

我不知道这是您的实际问题，但这是您必须涵盖的一个基础。

R1 R2 对于除了最小的不存在的 MOSFET 之外的所有 MOSFET 来说都太大了。这意味着它们的开启速度比开启速度要慢得多。这意味着即使你认为你已经包含了一些合理的死区时间，你仍然会被击穿并且吃肥肉。我用一个额外的晶体管快速关闭，值得。

顶部 P 沟道 MOSFET 之一处于活动状态 - 这决定了方向。当您将 PWM 应用于两个 N 通道 MOSFET（如电路中所暗示的那样）时，您会在 H 桥的一半上获得直通。

您不得将PWM 应用到两个 N 通道设备 - 仅在激活左上 P 通道设备时将其应用于右下角，或者仅在激活右上 P 通道设备时将其应用于左下角。

编辑 - 另外，你的 P 沟道 MOSFET 是倒置的。

对我来说突出的一件事是 FET 上没有反激二极管。由于您的电机是感性负载，因此当电流发生变化时（电感器中的 V = L dI/dT），它很容易在 FET 上产生高压。这些电压很容易超过 FET 中源漏结的击穿额定值。

为了解决这个问题，通常将一个二极管与结并联，以检查电压，如下所示：

（图片来自：http ://www.modularcircuits.com/blog/articles/h-bridge-secrets/mosfets-and-catch-diodes/ ）

这“钳制”了 FET 两端的电压。