从驱动电路的角度来看，栅极对源极来说就像一个电容器。它实际上对漏极也有一些电容，但这已在总栅极电荷图中考虑在内。您知道栅极必须改变的电压以及为实现这一目标而必须转移的电荷。从那里计算等效电容很简单：法拉 = 库伦 / 伏特。获得电容后，R*C 时间常数可以让您了解在栅极电阻器另一侧有阶跃输入的情况下，栅极的转换速度有多快。例如，要达到最终栅极电压的 90%，需要 2.3 个时间常数。

当 FET 实际“切换”时更加棘手。在特定的栅极电压下，FET 不会突然从完全关闭变为完全打开，但存在一个栅极电压，在该电压下，微小的增量变化将对 FET 输出特性产生最大的影响。您必须确定“开关”的真正含义是多开和多关，然后确定代表的栅极电压范围。然后，您可以使用等效的 RC 模型来确定阶跃输入将导致它在该区域中摆动的速度。例如，如果您决定大部分开关发生在栅极电压的 20% 到 80% 之间，那么这将是 1.4 个时间常数。

大部分开关动作发生在栅极电压稳定在阈值电压 Vgsth 时，此时漏极电压迅速下降，所谓的米勒效应将阈值保持在那里，直到漏极达到最小值：

（来自https://web.archive.org/web/20120324165247/http://www.ti.com/lit/ml/slup097/slup097.pdf）

举一个实际的例子，假设您有一个IRL540N，您使用 5V 电源和 100 欧姆串联电阻驱动它。

栅极阈值规定在 1 到 2 V 之间。这意味着栅极充电电流为 30-40mA。总栅极电荷规定为 <74nC，因此您所说的最大开关时间为 t = Qmax/Imin = 74nC/30mA = 2.47 微秒。

为什么不使用零电阻的栅极电阻器？

几个原因：

• MOSFET 中的寄生源极电感会导致高频振荡，或至少会导致高度欠阻尼的导通

• 出于 EMI 的原因，您通常希望适当地调整开启时间。

• 而在半桥栅极驱动中，通常使用与导通电阻并联的二极管，以使关断快而导通慢。否则，由于超出本文范围的原因，您可能会被击穿。（如果我有时间，我会写一篇关于它的博客文章并发布一个链接。）