我经常注意到双极晶体管基极使用拉电阻,例如 \$R2\$ 这里:

为什么使用它?我了解 FET 的拉电阻,因为栅极的高阻抗,EMI 可以轻松切换它。但是 BJT 需要基极的电流才能打开,而且我认为 EMI 的内部阻抗太高,无法提供足够的电流。
将浮动底座留在 BJT 开关中是否安全?
我经常注意到双极晶体管基极使用拉电阻,例如 \$R2\$ 这里:

为什么使用它?我了解 FET 的拉电阻,因为栅极的高阻抗,EMI 可以轻松切换它。但是 BJT 需要基极的电流才能打开,而且我认为 EMI 的内部阻抗太高,无法提供足够的电流。
将浮动底座留在 BJT 开关中是否安全?
非常简短的回答:R2 有助于快速关闭 BJT 。
再长一点:当不再通过 R1 提供电流时,剩下的就是阻止基极正向偏置的电流就是流过基极本身的电流。这适用于慢速电路。对于快速关闭,R2 有助于将电荷从底座中取出。请注意,从 B 到 E 以及从 C 到 B 的寄生电容更糟。后者更糟,因为当 B 下降时,C 上升,并且 CB 电容器将电荷推入 B,而您想在 B 中失去电荷(米勒效应)。
此外,在 B 悬空的情况下,微小的电流(干扰/寄生爬电路径)可能足以打开 BJT。R2 有助于防止这种情况。
除了 zebonaut 所说的之外,另一个原因可能是晶体管以高于其固有 BE 压降的电压开启。R1和R2构成分压器。通过适当地设置分压器,您可以获得更高的R1左侧用于打开晶体管的有效阈值a。
添加下拉电阻的另一个原因是许多 BJT 具有一定量的集电极-基极泄漏。如果 R1 很大,或者如果驱动它的引脚没有被主动拉低,则漏电流会将基极拉高至 0.7 伏。如果发生这种情况,晶体管本身会放大泄漏。如果晶体管的基极泄漏为 0.2uA,beta 为 50,那么在没有任何类型的基极下拉的情况下,集电极最终会泄漏 10uA。向基极添加一个下拉可将该泄漏降低到 0.2uA。在某些情况下,10uA 的泄漏可能没什么大不了的,但如果电路中的其他所有部件都断电以仅消耗 5uA 的总电流,则晶体管泄漏 10uA 可能会使功耗增加三倍。